НОФ 2012, III кръг (национален), 10–12 клас — Задача 2. Определяне на ширината на забранената зона на силициев полупроводник.

Национална олимпиада по физика, Хасково, 22.04.2012 г — ЕКСПЕРИМЕНТАЛНА ЗАДАЧА · 22 април 2012 г.

Условие

2. Определяне на ширината на забранената зона на силициев полупроводник.

2.1. Получете израз за температурната зависимост на пада на напрежение върху прехода на транзистора. В настоящата задача можете да пренебрегнете 1-цата в ур. 1. Задължително се обосновете защо. [3 т.]

2.2. Преценете с каква функционална зависимост могат да се опишат получените от вас експериментални данни за $U(T)$. Определете параметрите на тази зависимост. Оценете грешките в получените от вас параметри на тази зависимост. [4 т.]

2.3. От определените параметри на зависимостта, получена в т. 2.2. при ток 9 $\mu A$, определете ширината на забранената зона при 0К. Оценете абсолютната и относителна грешки във вашия резултат. [2 т.]

Решение

---

Оригинал в Архива: NOF3_2012_10-12problemsExp.pdf