НПСФ 2009, 11–12 клас — Задача 2. Модел на фотодиод
Автор: Olympiads XYZ · транскрипция на официалните материали
Автоматична транскрипция · предстои повторна проверка срещу оригинала
Национално пролетно състезание по физика 2009, Велинград — Тема 11.-12. клас · 28 февруари 2009 г. · 10 т.
Условие
Като модел за идеален полупроводников диод може да се използва волт-амперна характеристика, която е показано на фигурата (т.е. при и може да приеме произволна стойност при ), където е „отпушващото“ напрежение. Този модел може да бъде усложнен, като се отчете електрическото съпротивление на материала, от който е направен диода – чрез последователно свързване на съпротивление със същата стойност .
Когато осветим фотодиод, в него се генерират токови носители, които се разделят от p-n прехода. Този процес може да моделираме чрез включване на източник на ток в електричната верига, като стрелката указва посоката на тока. През източник на ток тече винаги един и същ ток , независимо от знака и големината на приложеното върху него напрежение. Токът зависи от интензитета на светлината, спектралния и състав и площта на фотодиода. Така че за осветен фотодиод може да използваме еквивалентна схема по-горе.



а) Нека при напрежение V е измерен ток A, а при напрежение V - ток A. Определете и . [2 т.]
б) Нека между точките A и B е включено съпротивление с големина . Как зависи големината на тока през съпротивлението от неговата стойност? Изобразете тази зависимост и графично. [4 т.]
в) Как зависи отделената от съпротивлението мощност от стойността на товарното съпротивление ? Изобразете зависимостта и графично. [4 т.]
Отговори
Покажи отговорите
Решение
Покажи официалното решение
Оригинал в Архива: proletni_2009_11-12problems.pdf · официални решения: proletni_2009_11-12solutions.pdf