Балкански 2022, Теория — Задача 1. La technique Patch Clamp

Concours Général de Physique «Minko Balkanski» · 27 август 2022 г.

Внимание: Бележка към темата

L'archive ne contient pas de solutions officielles pour cette épreuve. L'énoncé est publié en français ; la version anglaise imprimée dans le même document (pages 10–16) n'est pas reprise.

Прочетете внимателно!

Част първа и част втора съдържат условията на задачите съответно на френски и английски език. Единствените външни документи, на които имате право, са френски и английски речници. Ако желаете, можете да ползвате калкулатори.

При оценяването на задачите голяма тежест ще имат яснотата и стилът на изложените решения и аргументация. Не използвайте излишна проза в аргументите си, бъдете точни и кратки. Използването на схеми за онагледяване на разсъжденията Ви е желателно. Пишете само на езика, който сте избрали (френски или английски).

Разполагате с 4 часа. Успех!

Условие

Inventé par E. Neher et B. Sakmann, le patch-clamp (ou l'électrophysiologie cellulaire) est la technique de référence pour l'étude électrophysiologique des canaux ioniques. Chaque canal est traversé par un flux ionique élevé (de l'ordre de 10610^6 ions/seconde) et génère un courant électrique. Le patch-clamp consiste donc à enregistrer l'activité électrique d'une membrane cellulaire.

Préliminaires

La loi d'Ohm

On considère un milieu homogène conducteur de conductivité électrique σ\sigma. Une charge, de masse mm et de charge qq, est susceptible de se déplacer librement à l'intérieur de ce matériau, mais subit au cours de son mouvement de nombreux chocs que l'on modélise globalement par une force de frottement du type ffr→=−αv→\overrightarrow{f_{fr}} = -\alpha\overrightarrow{v} où v→\overrightarrow{v} est la vitesse de la charge et α\alpha une constante positive. On suppose que le matériau étudié est placé dans un champ électrique uniforme et constant E→=Eex→\overrightarrow{E} = E\overrightarrow{e_x} où E=constanteE = constante. La charge subit alors une force électrique f→=qE→\overrightarrow{f} = q\overrightarrow{E}. On négligera les forces de pesanteur.

Montage convertisseur courant-tension : source de courant I reliée à l'entrée e1 (−) de l'AO, résistance R entre l'entrée e1 et la sortie s, source de tension V_réf sur l'entrée e2 (+), tension de sortie V_0 mesurée par rapport à la masse.
Montage soustracteur : v_1 appliquée à l'entrée − de l'AO à travers R_1, v_2 appliquée à l'entrée + à travers R'_1, R'_2 entre l'entrée + et la masse, R_2 entre l'entrée − et la sortie ; tension de sortie v_s.
Montage non inverseur : tension v_1 sur l'entrée + de l'AO, résistance R entre l'entrée − et la masse, R_var entre l'entrée − et la sortie ; tension de sortie v.
Circuit du régime transitoire : générateur v_e(t) débitant le courant i(t) à travers R_1 dans l'association en parallèle de R_2 et du condensateur C ; tension u(t) aux bornes de R_2 et C.

1. En appliquant la relation fondamentale de la dynamique, déterminer l'équation vérifiée par la vitesse v→\overrightarrow{v} et par l'accélération a→\overrightarrow{a}.

2. Préciser la vitesse limite v∞→\overrightarrow{v_{\infty}} atteinte par la charge et le temps caractéristique τ\tau du régime transitoire.

3. Sachant que le matériau possède nn charges mobiles par unité de volume, en déduire le vecteur densité volumique de courant j→\overrightarrow{j} en fonction de n,q,α,E→n, q, \alpha, \overrightarrow{E}, lorsque le régime permanent est atteint.

4. Rappeler la loi d'Ohm et la présenter sous sa forme locale. En déduire que la conductivité du matériau vaut σ=nq2τm\sigma = \frac{nq^2\tau}{m}.

5. Montrer que la force f→=qE→\overrightarrow{f} = q\overrightarrow{E} est une force conservative. Préciser l'expression de l'énergie potentielle EpE_p. On prendra Ep(x=0)=0E_p(x = 0) = 0. En déduire l'expression du potentiel V(x)V(x) en fonction de EE et xx.

6. Une portion de ce conducteur de section SS et de longueur LL est soumise à une difference de potentiel UU. En déduire que la résistance RR de cette portion vaut R=LσSR = \frac{L}{\sigma S}.

Conversion intensité-tension par un montage amplificateur opérationnel

L'amplificateur opérationnel (AO) est supposé parfait et fonctionne en régime linéaire. Admettons que dans ce régime ve1=ve2v_{e1} = v_{e2} - le potentiel à l'entré 1 est égal au potentiel à l'entré 2, et ie1=ie2=is=0i_{e1} = i_{e2} = i_s = 0, les courants entrants et sortants de l'AO sont nuls. Sur le schéma on voit une source de courant et une source de tension.

7. Exprimer la tension de sortie V0V_0 en fonction de l'intensité du courant ii, de la tension de référence VrefV_{ref} et de RR.

Montage soustracteur et amplificateur

Comme dans la question précédente - on suppose que l'AO est parfait et fonctionne en régime linéaire.

8. Exprimer la tension de sortie vsv_s en fonction de v1v_1 et de v2v_2 ainsi que des différentes résistances. Le montage est présenté sur la figure en dessus.

9. Que se passe-t-il si les quatre résistances sont identiques ?

10. L'AO est à nouveau supposé parfait et fonctionnant en régime linéaire. Déterminer la tension vv en fonction de v3v_3, RR et RvarR_{var}. Donner un nom à ce montage. Le montage est présenté sur la figure au-dessous.

Étude d'un régime transitoire

Nous considérons le circuit ci-contre constitué d'un condensateur de capacité CC, initialement déchargé, de deux résistances R1R_1 et R2R_2, alimenté par un générateur délivrant un signal variable dans le temps ve(t)v_e(t). Nous allons appliquer à ce circuit une stimulation d'amplitude ΔV=Vref>0\Delta V = V_{ref} > 0 et de durée Δt\Delta t, c'est-à-dire ve(t)v_e(t) va varier dans le temps suivant cette loi.

11. Donner l'allure de ve(t)v_e(t).

12. Exprimer i(t=0+)i(t = 0^+) en fonction de vrefv_{ref} et R1R_1. (0+0^+ vaut dire le moment juste après t=0t = 0)

13. Exprimer i(t=Δt−)i(t = \Delta t^-) en fonction de vrefv_{ref}, R1R_1 et R2R_2. On suppose Δt\Delta t suffisamment grand pour que le circuit ait atteint un régime permanent à l'instant Δt−\Delta t^-. (Δt−\Delta t^- vaut dire le moment juste avant t=Δtt = \Delta t)

14. Établir l'équation vérifiée par u(t)u(t) en fonction de R1R_1, R2R_2, CC et ve(t)v_e(t). Préciser la constante de temps τ′\tau' de ce circuit.

15. En supposant τ′≪Δt\tau' \ll \Delta t, préciser la valeur u(Δt)u(\Delta t). Qualitativement proposer comment u(t)u(t) varie dans le temps. Qualitativement proposer comment i(t)i(t) varie dans le temps.

Modèle simplifié de l'amplificateur Patch Clamp

Les techniques de potentiel imposé à une membrane ont pour finalité le maintien du potentiel membranaire d'une cellule ou d'un groupe de cellules à une valeur fixe et l'enregistrement simultané des courants ioniques liés aux transferts d'ions à travers la membrane. Toute mesure nécessite une paire d'électrodes : une électrode de mesure reliée à un convertisseur et une électrode de référence indifférente (généralement une électrode au calomel ou au chlorure d'argent), montées en opposition. La pipette d'enregistrement est un simple tube de verre contenant une solution ionique de composition fixée par l'expérience dans lequel est placée une électrode d'argent chlorurée. L'ensemble permet la conduction électrique entre la membrane cellulaire ou l'intérieur de la cellule et le premier étage de l'amplificateur qui est un convertisseur courant tension (bloc (2)). Nous donnons ci-dessus le schéma électrique équivalent en configuration cellule entière qui permet l'enregistrement de courants macroscopiques. Le second étage ( blocs (3) et (4) ) retranche la tension de référence et amplifie le signal d'un facteur compris entre 1 et 200.

Étude de l'amplificateur

En utilisant les résultats des question préliminaires :

Schéma de l'amplificateur Patch Clamp : pipette+électrode plongée dans la solution au contact de la membrane, électrode de référence à la masse ; bloc (2) convertisseur courant-tension (AO avec R_f, courant i(t), sortie V_0, entrée + reliée à V_réf, impulsion de 0 à Δt) ; bloc (3) soustracteur à quatre résistances R, sortie v_1 ; bloc (4) amplificateur non inverseur avec R et R_var, sortie v.
Coupe de la pipette posée sur la membrane dans la solution : zone de contact de diamètre d et de hauteur h, colonne d'épaisseur e entourant la zone de contact ; légendes pipette, membrane, solution.
Schéma en configuration cellule entière : bloc (1) avec R_1 en série avec l'association parallèle de R_2 et C, courant i(t) ; bloc (2) convertisseur avec R_f et sortie V_0, entrée + reliée à V_réf (impulsion de 0 à Δt) ; bloc (3) soustracteur à résistances R, sortie v_1 ; bloc (4) amplificateur avec R et R_var, sortie v.
Enregistrement de v(t) en rouge : t de −0,4 à 1,2 s en abscisse, v de −0,2 à 0,2 V en ordonnée ; nul pour t < 0, saut à −0,2 à t = 0 puis remontée exponentielle vers environ −0,04 ; à t ≈ 0,5 saut à +0,2 puis décroissance exponentielle vers 0.

16. Exprimer V0V_0 en fonction de VrefV_{ref}, i(t)i(t) et RfR_f.

17. Exprimer V1V_1 en fonction de VrefV_{ref} et V0V_0, puis en fonction de i(t)i(t) et RfR_f.

18. Exprimer vv en fonction de i(t)i(t), RfR_f, RR et RvarR_{var}.

Mesure de la résistance de seal

La pipette est modélisable par une résistance Rpip=10MΩR_{pip} = 10M\Omega. La zone de contact (ZC) entre la pipette et la membrane peut être représentée par un cylindre de diamètre d=1μmd = 1\mu m et de hauteur h=2μmh = 2\mu m, de conductivité σ=10−2Ω−1.cm−1\sigma = 10^{-2}\Omega^{-1}.cm^{-1}.

19. En utilisant le résultat établi dans la partie préliminaire, exprimer la résistance d'accès RaccsR_{accs} à la membrane en fonction de hh, dd et σ\sigma. Calculer numériquement RaccsR_{accs}.

Il se forme de plus une résistance de jonction, ou de fuite, appelée résistance de seal conditionnant la stabilité de la liaison pipette membrane. Cette résistance est constituée par une colonne cylindrique entourant la zone ZC, de même conductivité σ\sigma que ZC. Cette colonne a l'épaisseur e=3×10−10me = 3 \times 10^{-10}m (e≪de \ll d) et la hauteur h=2μmh = 2\mu m.

20. Exprimer la résistance de jonction RsealR_{seal} en fonction de hh, dd, ee et σ\sigma. Calculer numériquement RsealR_{seal}.

21. Quel est alors le montage électrique équivalent à l'association de ces trois résistance : RpipR_{pip}, RaccsR_{accs} et RsealR_{seal} ? Compte tenu des valeurs numériques, simplifier le montage.

Mesure en configuration cellule entière

On modélise par R1R_1 la résistance équivalente de la pipette précédente, R2R_2 et CC représentent la résistance et la capacité de la membrane (bloc 1) :

22. Déduire de l'enregistrement de v(t)v(t) donné ci-dessous les valeurs de R1R_1, R2R_2 et CC. On précise que Vref=5mVV_{ref} = 5mV, Rf=100MΩR_f = 100M\Omega et Rvar=0R_{var} = 0. Sur cet enregistrement, l'abscisse tt est en secondes et l'ordonnée vv est en volts.

Решение

Внимание: Непълно решение

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Оригинал в Архива: CGP_2022_r2.pdf