ВсОШ 2021, Регионален етап, 11. клас, първи тур — Задача 4. Эффект Холла

LV Всероссийская олимпиада школьников по физике. Региональный этап. Первый тур. 23 января 2021 г. · 23 януари 2021 г. · 14 т.

Условие

Электроны являются носителями тока в металлах и полупроводниках nn-типа. Если образец с током (в данном случае прямоугольный кусочек плёнки полупроводника nn-типа) помещён в магнитное поле и через него протекает электрический ток, то на движущиеся электроны действует сила Лоренца F=eυBF = e\upsilon B, перпендикулярная скорости υ⃗\vec{\upsilon} электрона и вектору B⃗\vec{B} магнитной индукции (рис. 1).

Прямоугольная пластинка (плёнка) толщиной d, шириной b и длиной L в аксонометрии. Вертикальная стрелка B вверх, стрелка тока I вдоль длины, стрелка E_x влево; вдоль левой грани знаки «−», вдоль правой грани знаки «+».
Рис. 1

Здесь υ\upsilon – средняя скорость дрейфа электронов, связанная с проходящим током II и прямо пропорциональная напряженности электрического поля E⃗\vec{E} в направлении этого тока: υ=μE\upsilon = \mu E, где коэффициент пропорциональности μ\mu называется подвижностью электронов.

Из-за действия на электроны силы Лоренца (на рисунке она направлена в сторону левой грани), происходит разделение зарядов и появляется поперечное электрическое поле с напряженностью ExE_x. Возникновении этого поля при протекании тока в образце, помещенном в магнитное поле, называют эффектом Холла. Перемещение электронов в направлении левой грани прекращается, когда силу Лоренца уравновешивает электрическая сила eExeE_x:

eυB=eEx.e\upsilon B = eE_x.

В установившемся режиме напряжённость поперечного электрического поля Ex=υB.E_x = \upsilon B.

Ниже описан эксперимент, в котором эффект Холла используется для исследования свойств полупроводника.

Электрическая схема: источник ЭДС ℰ, переменный резистор r с подвижным контактом и образец (серый прямоугольник шириной b и длиной L) с обозначением U_X между боковыми гранями, отмеченными «−» слева и «+» справа.
Рис. 2

Ток создаёт источник с ЭДС E=10\mathcal{E} = 10 В и малым внутренним сопротивлением. Величина магнитной индукции B=1,0B = 1{,}0 Тл. Для изменения тока применяют переменный резистор, а вольтметром измеряют напряжение UxU_x между боковыми гранями в направлении, перпендикулярном магнитному полю и направлению протекающего тока.

Размеры полупроводникового образца: толщина d=1,0d = 1{,}0 мкм, ширина b=5,0b = 5{,}0 мм, длина L=1,0L = 1{,}0 см. Заряд электрона e=1,6⋅10−19e = 1{,}6\cdot 10^{-19} Кл.

В таблице представлена зависимость UxU_x от сопротивления rr переменного резистора.

rr, кОм2,52,01,51,00,50,0
UxU_x, В1,21,41,61,82,12,5

Задание

1. Выразите UxU_x через силу тока II в образце, концентрацию nn электронов проводимости и физические величины, приведенные в описании эксперимента (E\mathcal{E}, BB, dd, bb, LL, ee).

2. Выразите сопротивление RR и удельное сопротивление ρ\rho образца через его размеры, подвижность μ\mu и концентрацию nn электронов проводимости.

3. Используя уравнения, полученные в п.п. 1, 2, выразите UxU_x через концентрацию nn и подвижность μ\mu электронов проводимости, сопротивление rr и физические величины, приведенные в описании эксперимента.

4. Используя выражение, полученное в п. 3, при помощи графического анализа экспериментальных данных определите для исследуемого полупроводника:

а) концентрацию nn электронов проводимости;

б) их подвижность μ\mu;

в) удельное сопротивление ρ\rho.

Опишите выбранный для этого способ обработки данных.

Внимание! Из-за ограниченного времени выполнения задания погрешность определения nn, μ\mu и ρ\rho оценивать не требуется, однако точность полученных вами промежуточных и конечных результатов будет учитываться при выставлении баллов.

Отговори

Решение


Оригинал в Архива: tasks-phys-11-tur1-reg-20-21.pdf · официални решения: sol-phys-11-tur1-reg-20-21.pdf