ВсОШ 2025, Регионален етап — Задача 18. 10-Т5 · Усилитель

Всероссийская олимпиада школьников по физике — Региональный этап, теоретический тур — Москва,2025

Внимание: Бележка към темата

Полный исходный60-страничный сборник:23целые задачи7–11классов,55номерованных запросов и6ненумерованных; все напечатанные возможные решения/варианты. Исходные несогласованности сохранены и отмечены отдельно. Баллы, критерии и продолжительность в данном источнике не напечатаны. Для измерений и построений используйте исходныйPDF с родным масштабом.

Титул, авторы и материалы исходного сборника

Министерство просвещения Российской Федерации. Центральная предметно-методическая комиссия Всероссийской олимпиады школьников по физике. Всероссийская олимпиада школьников по физике. Региональный этап. Теоретический тур. Москва,2025г.

Комплект задач подготовлен центральной предметно-методической комиссией Всероссийской олимпиады школьников по физике. E-mail:physolymp@gmail.com.

Авторы задач

  • 7-Т1. Александр Евсеев
  • 7-Т2. Ольга Инишева
  • 7-Т3. Константин Кутелев
  • 7-Т4. Александр Евсеев
  • 8-Т1. Андрей Сеитов
  • 8-Т2. Александр Евсеев
  • 8-Т3. Александр Евсеев
  • 8-Т4. Ольга Инишева
  • 9-Т1. Константин Кутелев
  • 9-Т2. Антон Вергунов
  • 9-Т3. Владимир Савинцев
  • 9-Т4. Денис Рубцов
  • 9-Т5. Матвей Муравьев, Иван Гурьянов
  • 10-Т1. Алексей Заяц
  • 10-Т2. Александр Киреев
  • 10-Т3. Леонид Колдунов
  • 10-Т4. Анна Шишкина
  • 10-Т5. Юрий Черников
  • 11-Т1. Александр Аполонский
  • 11-Т2. Александр Аполонский
  • 11-Т3. Константин Парфенов
  • 11-Т4. Алексей Заяц
  • 11-Т5. Юрий Черников

Как готовиться к региональному этапу?

В МФТИ запущен классный проект «Физтех-регионам» (https://os.mipt.ru), где в публичном бесплатном доступе лежат лекции и семинары по всем классам и по всем темам. Там же выложены подборки задач по темам. Уровень материалов позволяет хорошо подготовиться к муниципальному и региональному этапу Всероссийской олимпиады школьников по физике.

Если вы школьник, просто пользуйтесь доступными материалами. Если вы преподаватель или сотрудник регионального органа образования, то МФТИ готов помочь организовать на базе вашей школы или центра по работе с талантливыми детьми кружок по физике. Занятия будут проходить по программе «Физтех-регионам», и МФТИ не берет никаких денег за эти материалы. Единственное, вам нужно будет обеспечить работу преподавателя. Подобным образом уже функционируют кружки в более чем40регионах России.

В исходном ключе заголовок «Возможные решения». Сохранены родные группы7,8,9,10и11классов и исходные обозначения каждой целой задачи.

Условие

В данной задаче рассматривается упрощённый принцип работы трёхконтактного элемента электрической цепи — полевого транзистора. Контакты данного элемента называются «исток», «сток» (имеется в виду исток и сток электронов) и «затвор» (см. рис. 1). При этом сила тока через затвор много меньше силы тока, текущего между стоком и истоком.

Вольт-амперная характеристика транзистора, то есть зависимость силы тока II, текущего между стоком и истоком, от напряжения UU между ними управляется напряжением UзиU_{\text{зи}}, созданным между затвором и истоком (полярность подключения, соответствующая положительным значениям UU и UзиU_{\text{зи}}, указана на рис. 1).

Full native transistor Fig1, gate/drain/source words, I/U/Uzi, polarity signs and dashed voltage paths.

В простейшей модели полевого транзистора его вольт-амперная характеристика описывается графиком, представленным на рис. 2а. При любых положительных напряжениях UU между стоком и истоком через транзистор течёт постоянный ток IнасI_{\text{нас}}, называемый током насыщения. Сила тока насыщения зависит от напряжения UзиU_{\text{зи}}, созданного между затвором и истоком, так, как показано на рис. 2б.

Both complete original transistor characteristic plots Fig2, I/Inas/U/Uzi, I0/MinusU0/origins and a/b captions.

На основе данного транзистора был собран простейший усилитель, то есть устройство, позволяющее увеличить амплитуду переменного напряжения. Схема такого устройства изображена на рис. 3 (буквами «с» и «и» отмечены, соответственно, сток и исток транзистора).

Complete native amplifier circuit Fig3, transistor c/i contacts, R/battery E, input/output words and complete terminals.

На вход усилителя подают переменное напряжение синусоидальной формы с амплитудой UaU_a, зависимость UзиU_{\text{зи}} от времени tt для которого представлена на рис. 4, и определяют напряжение U(t)U(t) на выходе.

Full original sinusoidal-input Fig4, Uzi/Ua/MinusUa, both axes, all tau ticks/guides and full curve.

При решении задачи считайте известными параметры транзистора: I0=0,5I_0=0{,}5 А, U0=1U_0=1 В, напряжение батареи E=10\mathcal E=10 В, а также то, что батарея является идеальной.

Примечание: Амплитудой колебаний называется значение максимального отклонения исследуемой величины от её среднего значения.

1 При каких значениях UaU_a зависимость напряжения UU на выходе усилителя от времени будет иметь форму синусоиды, если сопротивление резистора равно: а) R=5R=5 Ом; б) R=16R=16 Ом?

2 Определите коэффициент усиления KK, то есть отношение амплитуды напряжения на выходе усилителя к амплитуде напряжения на входе, если R=5R=5 Ом, и сигнал на выходе имеет синусоидальную форму.

3 Постройте график зависимости выходного напряжения UU от времени tt, если Ua=2U_a=2 В и R=8R=8 Ом. Отметьте на графике его основные особенности, укажите ключевые значения напряжений.

Решение


Оригинал в Архива: Ru25-R-T.pdf · решение от архива: Ru25-R-T.pdf